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本文標(biāo)題："多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長(zhǎng)獲得-金屬加工"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2016-9-28 12:28:05 本站主頁(yè)地址：http://m.vndmy.cn
多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長(zhǎng)獲得-金屬加工
材料
類似基片，生長(zhǎng)或沉積薄膜的形態(tài)可以是：
·單晶
·多晶
·非晶
在工藝過程中，單晶薄膜通常保持其單晶狀態(tài)，但可以通過離子轟
擊變?yōu)榉蔷B(tài)；多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長(zhǎng)獲得；非晶態(tài)薄膜可
以保持其非晶態(tài)，或晶化轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)，在很特殊的情況下可變?yōu)閱尉?/div>
態(tài)。
單元素基片和單元素薄膜(如硅、鋁、銅和鎢)較簡(jiǎn)單，它們具有廣
泛的應(yīng)用�；衔镆肓诵碌臋C(jī)遇和挑戰(zhàn)：氧化硅、氮化硅、氧化鉿、
硅化鈦、氮化鈦和氮化鋁(AIN)在沉積時(shí)不一定是理想配比，例如，氮
化鈦一般描述為TiN。，戈的值由薄膜沉積工藝決定。
另外，除了單元素和化合物材料，合金也被廣泛應(yīng)用，用齜．1％s
i或A1—0．5％Si．2％Cu替代單元素鋁對(duì)金屬化的穩(wěn)定性更有利(參見
第24章)。由不同大小原子組成的合金一般為非晶態(tài)薄膜，在一些應(yīng)用
中，它可以在退火過程中防止結(jié)晶并保持非晶狀態(tài)。
薄膜沉積條件(例如雜質(zhì)和工藝溫度)會(huì)強(qiáng)烈影響薄膜的性能，在低
溫下沉積的硅為非晶態(tài)，在中等溫度下為多晶態(tài)，在高溫和嚴(yán)格的條件
控制下為單晶態(tài)。微加工材料必須服從微圖形化技術(shù)，例如刻蝕和拋光
。有時(shí)薄膜需沉積在平坦的晶圓片上，但又經(jīng)常需沉積在臺(tái)階和溝槽中
，溝槽的深度可以是寬度的40倍，這些將在薄膜沉積工藝中進(jìn)行詳細(xì)描
述。
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