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本文標題："溫度對于晶體生長的影響可以分為哪兩個方面？"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2015-12-11 22:39:46 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
溫度對于晶體生長的影響可以分為哪兩個方面？
影響晶體生長的外部因素
晶面生長速度除了主要取決于面網密度和鍵性外，尚與介質的環(huán)
境有關，如溫度、壓力、濃度、雜質等都會影響晶面生長速度，而
且對不同的晶面常常影響程度不同，也就是說環(huán)境可以改變晶面的
相對生長速度，從而導致晶形的改變，研究這些因素對晶體形態(tài)的
影響，對于闡明晶體形成的地質條件有重要意義。
1、溫度
溫度對于晶體生長的影響可以分為兩個方面，一為溫度變化的快
慢，一為晶體生長時溫度的高低。
溫度變化慢，則結晶中心少，結晶時間充分，質點可以從容排列
，形成完整粗大的晶體，若溫度變化快，則形成較多的晶芽，結晶
時間短，晶體由于得不到充分發(fā)育而常常長的細小，例如巖漿在地
下深處緩慢結晶時，長成粗粒晶體組成的巖漿巖，如花崗巖，但若
巖漿在地表快速結晶時，則長成細粒，甚至是隱晶或非晶質的噴出
巖，如流紋巖。
2、壓力
壓力對晶體生長的影響無疑也是很大的，例如變質作用過程中，
在壓力作用下，晶體在平行壓力的方向上發(fā)生溶解，而在垂直于壓
應力的方向上重新結晶，結果使晶體長成扁平狀或針柱狀，并沿垂
直于壓應力的方向發(fā)生平行排列。
結晶早晚
晶體析出的先后對晶形也有影響，先析出者，結晶對有充分的自
由空間，因而晶形完整成為自形晶，而晚期析出的晶體，因為受到
早期析出的晶體的限制，生成的晶體大多只表現(xiàn)一部分晶面，另一
部分外形不規(guī)則，成為半自形晶，晚期析出的晶體，因只能充填其
它先生的成晶體的間隙，故呈不規(guī)則粒狀出現(xiàn)，成為他形晶。
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