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微機械若進一步開發(fā),必然需要復雜的微傳感器,這樣它們才
能測定空間的位置與方向以及相對于其他物體的臨近程度。這些微
機械還應具有與遙控操作人員的通信能力,因此需要一種無線通信
鏈接裝置(特別是要求它們進入人體內(nèi)部時)。無線通信在某些聲學
微傳感器中已經(jīng)做到了。
件發(fā)展相關聯(lián)的一個主要問題是進一步解決合適的小型化電源。微
機械在空間運動需要較大的能量。如果需要做一些有用之事,如除
掉動脈中的血塊,則需要更大的能量。因此,未來的MEMS器件可能
最終受限于通信鏈接裝置和它的“電池包”尺寸!
通向實用微機械的路途看來漫長而艱難,但朝向微傳感器和ME
MS器件的最初幾步已經(jīng)邁出,
IC制作技術的穩(wěn)步進展一直是微電子技術革命的基礎。本章
的主要目的是向讀者介紹基本專業(yè)術語并概述加工硅片所需的各個
加工步驟。因此,本章首先介紹一些特殊材料,這些材料可以叫做
屯子材料。這些材料一般用于普通的IC工藝,某些可用作微電子機
械系統(tǒng)(MEMS)材料(參閱下一章)。電子材料并非只具有一般物理和
化學特性的材料:例如,電子材料的電特性范圍可從近于理想的絕
緣體到良導體,其化學組分可從簡單材料中的一種原子到化合物電
子材料中的數(shù)種原子。因此,電子材料這一術語沒有物理和化學意
義;它只是指IC制作工藝中使用的材料。
電子材料及其沉積
在Ic制作中使用不同種類的體材料和薄膜材料。體材料主要是
半導體材料。Ic制作工藝中使用的最重要的半導體材料是硅和砷化
鎵。Ic制作工藝中使用四類重要的薄膜材料(或同類材料):
(1)熱氧化硅;
(2)介質(zhì)層;
(3)多晶硅;
(4)金屬薄膜(主要是鋁)。
介質(zhì)層包括沉積的二氧化硅(有時稱為氧化物)和氮化硅。這些
介質(zhì)層材料用于導電層之間的絕緣,擴散和離子注入保護層,以及
保護器件免受雜質(zhì)、潮濕侵害和劃傷的鈍化。多晶硅在金屬氧化物
半導體(MOS)器件中用作柵電極,也用于多層金屬化的導電材料和
淺結器件的接點材料。
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