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光刻工藝
光刻是通過掩模在一種稱為光刻膠的薄層材料上印刷幾何圖形
的工藝,光刻膠是一種對輻照敏感的材料。
圖形制作過程通過光刻曝光裝置發(fā)射光線來完成。決定曝光裝
置性能的有三個(gè)特性:分辨率、對準(zhǔn)精度和產(chǎn)出量。分辨率定義為
高保真地傳輸?shù)轿挥诰砻婀饪棠z膜上的最小形體尺寸。對準(zhǔn)精
度是衡量連續(xù)幾個(gè)掩模圖形與晶片上先前確定的圖形對準(zhǔn)的準(zhǔn)確程
度。產(chǎn)出量是指對于一個(gè)給定的掩模每小時(shí)可曝光的晶片數(shù)量。對
于不同的分辨率選擇不同類型的光線
晶片和掩模之間的緊密接觸可以得到很高的分辨率,通常高于
1μm。然而,接觸印刷由于晶片表面上的顆粒與掩模接觸而擦傷掩
模。這些顆粒最終會(huì)在掩模的透明區(qū)域形成不透明的暗點(diǎn)。
投影印刷是另一種曝光方法。在這種方法中,減小了遮蔽印刷
中產(chǎn)生的掩模損傷問題。投影印刷曝光裝置將掩模圖形的圖像投射
到距掩模幾厘米的被光刻膠覆蓋的晶片上。在投影印刷中為提高分
辨率,每次只曝光掩模的一小部分。一個(gè)大約1mm寬的窄弧形像場
將掩模的縫隙圖像順次地轉(zhuǎn)移到晶片上。
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