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本文標題："蝕刻輪廓測量儀-精密加工計量儀器"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-14 1:52:49 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
蝕刻輪廓測量儀-精密加工計量儀器
如不考慮溶解度極限和熱動力學平衡，則可以用任何元素通過
離子注人來生產(chǎn)任何特殊需要的摻雜分布(或為被埋人的分布)。因
此，離子注入是研究和開發(fā)新產(chǎn)品的有用工具。可是，離子注入機
和相關(guān)的光刻設備是半導體生產(chǎn)線最大的投資。
離子注入的一個缺點是外來濺射產(chǎn)物對硅片所造成的污染。加
速的離子束對孔徑和儀器內(nèi)部的部件有相當大的濺射作用。因此
，不希望雜質(zhì)沉積在單晶硅片上。一個解決的方法是，重新設計離
子束的軌跡使所有離子束能碰到的物體必須由高純硅來制造
蝕刻(薄膜去除)
蝕刻技術(shù)仍為在浸槽中對尺寸小于3ttm的結(jié)構(gòu)進行濕式化學蝕
刻。非晶態(tài)，多晶體和單晶體材料的濕式化學蝕刻基本上是各向同
性的，即蝕刻在所有方向均勻進行。這種濕式化學蝕刻在抗蝕劑掩
模上形成的蝕刻輪廓為球形孔洞。這一方法需要對蝕刻參數(shù)和時
間進行精密控制，以使部分涂有抗蝕劑的晶片表面優(yōu)先處于既不過
蝕刻也不欠蝕刻的狀況。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的日益減小，進一步維持濕
式化學蝕刻方法的這種優(yōu)勢變得日益困難，當結(jié)構(gòu)尺寸小于2μm時
，濕式化學蝕刻方法已被定向的干式化學蝕刻方法所代替。
在具有大的粒子自由路程的空氣稀薄環(huán)境中，可以在一個優(yōu)先
方向上使用靜電加速離子，對晶片表面進行各向異性的蝕刻。
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