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本文標題："物理氣相沉積光刻零件分析圖像顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-13 22:19:32 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
物理氣相沉積光刻零件分析圖像顯微鏡
同時，溫度必須精確地控制，使整個硅片范圍的沉積條件保
持恒定。在這一加工溫度下，硅原子保持了大的動能，使它能遷移
到晶片表面并占據(jù)表面上能量最有利的位置。因為單晶代表著固態(tài)
下能量的最低值，所以沉積層優(yōu)先生長為單晶層。如果在反應(yīng)氣中
添加適當?shù)幕旌衔�，則沉積層可以相應(yīng)地被摻雜。
物理氣相沉積(PVD)
幾乎沒有例外，濺射是惟一用于制造半導(dǎo)體的PVD方法。氬離
子可以由外加的電壓加速后射向目標靶，由于氬離子與目標靶表層
碰撞后的能量轉(zhuǎn)換，目標靶上的中性離子被濺射出后，接下來冷凝
在基體上。在濺射過程中，到達基體的氬離子比蒸氣中的氬離子的
能量高10一100倍。因此濺射形成的薄膜具有較好的粘接力。
濺射技術(shù)的最終突破是所謂的磁控濺射。磁控濺射與傳統(tǒng)的濺
射技術(shù)和蒸發(fā)法生產(chǎn)的標準涂層相比較，可以實現(xiàn)高的薄膜生長率
光刻(薄膜圖形化)
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