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其他金屬線生成技術有通過介電泳技術裝配懸浮金屬顆粒等。
等離子體增強生長技術,如通過氣態(tài)一液態(tài)一固態(tài)生長或者氣態(tài)一
固態(tài)轉變的技術,尚不能用于制造納米線。但是如果它能應用在低
溫工藝條件下,則對封裝技術就會越來越重要。人們已經(jīng)通過化學
氣象沉積工藝制備了局限在MWCNT內部的、直徑為40nm的單晶鎳納
米線,其長度達到幾十微米金屬納米線:材料
幾乎所有電化學上可還原的陽離子都能像線一樣沉積在不同外
模板的孔中。
對于電解質水溶液和不含水的離子液體中金屬在納米孔內的電
鍍沉積,人們已經(jīng)進行了徹底的研究。這種電鍍沉積擴展了納米導
線可用材料的范圍。因此,除了適合用于大量生產納米級金屬棒和
金屬線的膠體化學方法之外,外模板方法也能用于制備單導線接觸
件或者特殊的聚合物復合材料,而完成制備則需要幾克的單分散性
金屬線
嵌入在絕緣基體(如多孔陽極氧化鋁)中的可磁化導線的周期
性陣列可以用作信息存儲設備,它通過垂直數(shù)據(jù)記錄來存儲信息。
鐵磁性的鎳和鈷納米線陣列‘挖1,122 3等周期性陣列的典型特征
是高度剩磁和矯頑(磁)力。與此類似,人們提出把電子束表面柱
狀陣列用作高密度的數(shù)據(jù)存儲設備,相比周期性陣列,這種柱狀陣
列的制備過程會消耗更多時間,因此也更加昂貴。根據(jù)其磁阻巨大
這一性質,人們已經(jīng)在考慮把磁性多堆疊復合層用作高密度存儲元
件
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