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本文標(biāo)題："立體顯微鏡測(cè)定微小覆晶焊點(diǎn)熔深厚度-光學(xué)儀器"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-10-18 17:19:05 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
立體顯微鏡測(cè)定微小覆晶焊點(diǎn)熔深厚度
電遷移、熱遷移效應(yīng)
當(dāng)電子產(chǎn)品使用時(shí)，由于電流通過晶粒所產(chǎn)生的焦耳熱效應(yīng)，
會(huì)造成晶粒溫度上升，加速界面反應(yīng)。電流通過時(shí)，
也會(huì)產(chǎn)生電遷移效應(yīng) (electromigration effect)而造成原子遷移，進(jìn)而加速焊點(diǎn)之破
壞。在覆晶焊點(diǎn)微小化下，通過之電流密度因而加大，電遷移作用 的影響將更加嚴(yán)重。
因此電遷移效應(yīng)之探討也是目前研究之重點(diǎn)。 除電遷移效應(yīng)外，
同時(shí)亦探討電流所引發(fā)之派鐵爾效應(yīng)(Peltier effect) 。
目前電子封裝中，焊點(diǎn)縮小與溫度差異，使得熱遷移現(xiàn)象也更加
明顯，本實(shí)驗(yàn)室致力于熱遷移對(duì)界面反應(yīng)之影響研究
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