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本文標(biāo)題："金屬截面孔隙率量測(cè)影像測(cè)量高清晰顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-9-20 12:53:11 本站主頁(yè)地址：http://m.vndmy.cn
金屬截面孔隙率量測(cè)影像測(cè)量高清晰顯微鏡
某些較新的正面漿料會(huì)特別強(qiáng)調(diào)印出的電極可達(dá)到又窄又高，
并加大截面積以維持足夠的導(dǎo)電能力。由于正面細(xì)電極相當(dāng)接近 P-N 接
面，對(duì)于光電轉(zhuǎn)換效率的好壞有較大的影響，
其線寬和間距也須參考硅芯片導(dǎo)電特性或其它制程條件的改變而進(jìn)行修改，
以追求更高的光電轉(zhuǎn)換效率。要做出相當(dāng)細(xì)的電極，當(dāng)然也需與漿料、
網(wǎng)版的操作性質(zhì)配合。
而正面電極的制作，也有些材料、設(shè)備供應(yīng)商提出以電鍍法
取代網(wǎng)印制程，強(qiáng)調(diào)更致密的銀或銅有機(jī)會(huì)做出比需要燒結(jié)而有多孔
質(zhì)的銀漿具有更好導(dǎo)電特性的電極。目前有新的電極印刷制程，但因
為電極印刷兩次產(chǎn)生之錯(cuò)位問(wèn)題將導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率相對(duì)降低，所以本研
究針對(duì)兩次印刷產(chǎn)生錯(cuò)位問(wèn)題進(jìn)行補(bǔ)正，以提高太陽(yáng)能芯片之轉(zhuǎn)換效率
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