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半導體封裝多以轉(zhuǎn)注成型將樹脂擠入模穴內(nèi)。充填過程中流動樹
脂會對金線產(chǎn)生拖曳力而導致金線偏移,甚至互相接觸,是造成缺限的一
大隱憂。隨著IC薄化和多腳化的趨勢,此問題益加的重要,是一個及需要
克服的難題。目前研究多暫略金線存在,或簡化為二維,本研究針對三維
金線,設計加裝透明觀察窗之轉(zhuǎn)注成型模,攝影記錄樹脂在模穴內(nèi)的充填
過程,并改變金線端點相對高度、膠口位置等變因,做一系列的流動觀察
;本研究并以數(shù)值分析預測金線偏移,并以量測驗的結(jié)果印證。本研
究觀察發(fā)現(xiàn),三維金線的存在會對流場產(chǎn)生相當?shù)挠绊,金線數(shù)目越多,
影響越大。數(shù)值流場分析忽略金線的存在,會造成誤差。金線偏移量會隨
著雷諾數(shù)增大而增加,對正方形模穴而言,澆口位置在邊的交角比澆口在
邊長中央可得到較小的金線偏移。金線一端上置型模座較兩端平置型偏移
量小。本研究同時探討在轉(zhuǎn)注成型的制程加上壓縮步驟的果效,試以
改良目前傳統(tǒng)轉(zhuǎn)注成型,提升因IC薄化與多角化后之可封裝性所產(chǎn)生的封
裝問題。實驗發(fā)現(xiàn)在極慢壓縮速度,金線偏移確實大幅減小。
Pitch/resin/CVI由于采用半混亂(semi-random)纖維布堆疊方式,導致?lián)锨鷱姸群图羟?/div>
應力不高,因此在磨耗過程中破壞劇烈,表面狀況極不穩(wěn)定,并未出現(xiàn)Type3型磨耗
面,并且在偏光下,由于表面凹凸不平,導致光線反射不佳,取樣也有所限制
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