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本文標(biāo)題："AFM顯微鏡量測(cè)CD線寬量測(cè)技術(shù)簡(jiǎn)介"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-5-29 0:36:59 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
AFM顯微鏡量測(cè)CD線寬量測(cè)技術(shù)簡(jiǎn)介
I.納米繞射及散射線寬量測(cè)技術(shù)
(1) AFM 量測(cè) CD 線寬量測(cè)技術(shù)，建置前后傾斜所需調(diào)整機(jī)構(gòu)，再以縫補(bǔ)技術(shù)補(bǔ)償誤差，
發(fā)展 AFM 探針輪廓量測(cè)技術(shù)，補(bǔ)償 AFM 探針輪廓外形誤差，可與縫補(bǔ)技術(shù)補(bǔ)償誤
差方法比對(duì)驗(yàn)證，以提高 AFM 量測(cè) CD 線寬量測(cè)技術(shù)之精度。
(2)光學(xué)式量測(cè)線寬，將購入調(diào)變式干涉顯微鏡，需了解其量測(cè)原理與光學(xué)結(jié)構(gòu)，以做為
評(píng)估量測(cè)誤差分析之依據(jù)，了解光學(xué)量測(cè)方法之最佳能力與限制條件。
II.階高標(biāo)準(zhǔn)片(介于 1-100 μm)研制
FY96 將進(jìn)行開發(fā)半導(dǎo)體制程研制 50 nm~500 nm 階高標(biāo)準(zhǔn)片，同時(shí)進(jìn)行測(cè)試將
FY95 完成之 1-100 μm 階高標(biāo)準(zhǔn)，切割標(biāo)準(zhǔn)片，可降低成本外，整體尺寸與重量都能大
幅降低，以線切割方式，將階高標(biāo)準(zhǔn)片浸于冷卻液，避免高溫，加工屑料損傷鏡面，加
工完成后，再以超音波清潔油污與殘屑。
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Ⅲ 連續(xù)角度原級(jí)標(biāo)準(zhǔn)研制
連續(xù)角度原級(jí)標(biāo)準(zhǔn)研制于 FY95 完成，后續(xù)將會(huì)應(yīng)用此項(xiàng)成果于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室之
校正，應(yīng)用小角度干射儀量校正自動(dòng)視準(zhǔn)儀。
IV. 納米微粒量測(cè)系統(tǒng)研制
納米粒徑量測(cè)系統(tǒng)建置中的系統(tǒng)主要都是針對(duì)溼式聚苯乙烯的標(biāo)準(zhǔn)粉體，量測(cè)系統(tǒng)
包括已完成的動(dòng)態(tài)光散射儀、今年購入的電氣遷移率法(DMA)、及 FY96 建置的的電重
力平衡法(EAB)。產(chǎn)業(yè)的需求除聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)粉體外，也希望能針對(duì)一般納米粉體如
TiO2、氧化鋅、納米金、及納米銀等，另外乾式粉體及納米粉體的安全性也是未來的研
究重點(diǎn)。
V.納米薄膜量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)研制和 particles on wafer
FY96 之重點(diǎn)為增加納米薄膜量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的能量。評(píng)估之重點(diǎn)為: X-ray wavelength
之追溯、校正系統(tǒng)評(píng)估方法設(shè)計(jì)、薄膜介面粗度、等效薄膜等、量測(cè)軟體之追溯等。順
利完成上述工作重點(diǎn)，建立光學(xué)式薄膜厚度量測(cè)系統(tǒng)，量測(cè)二氧化矽薄膜厚度 1.5 nm-200
nm，最佳量測(cè)不確定度 0.4 nm+0.5%。
就晶圓表面納米微粒量測(cè)技術(shù)而言，量測(cè)的準(zhǔn)確度決定于一是表面納米微粒量測(cè)，
另一是微粒粒徑的校正與追溯。在 FY96，建立光學(xué)量測(cè)系統(tǒng)，測(cè)試系統(tǒng)之功能與能力，
建立表面納米微粒量測(cè)能力可達(dá) 1000 nm
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