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本文標(biāo)題："微量雜質(zhì)對再結(jié)晶金屬斷口分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2020-3-10 1:13:48 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
微量雜質(zhì)對再結(jié)晶金屬斷口分析顯微鏡
織構(gòu)受多種變最的影響:合金成分,最終退火以前的機械歷程和熱學(xué)
歷程,退火時的熱學(xué)歷程(有時甚至退火時的氣氛),加工和退火工序中
各個階段的晶粒尺寸,以及是否有生核劑等。退火織枃的形成涉及到幾
種基本機理。退火織構(gòu)可以由回復(fù)造成,而不必進行再結(jié)晶再結(jié)晶以后
,有可能再現(xiàn)退火前的織構(gòu)):可以由初次再結(jié)晶造成;也可以由再結(jié)晶
以后的晶粒長大造成。晶粒長大,有的是“正常的”、“連續(xù)的”長大
,即晶粒尺寸的分布在整個長大過程中都保持正常狀態(tài),也有的是少量
晶粒長得很大,而其余的晶粒則大小不變,而最終被大晶粒吞蝕。后一
類型的晶粒長大過程,稱為“不連續(xù)的”、“異常的”或“反常的”長
大,又稱為“粗化”、“蔭生”或“二次再結(jié)晶”。這種過程是在正常
晶粒長大受到彌散質(zhì)點或強織構(gòu)的阻礙時發(fā)生的。一般講,退火織構(gòu)可
以認(rèn)為是由回復(fù)、初次再結(jié)晶和晶粒長大(正常的或反常的)這三者相
互競爭的取勝者造成的。但有時不止一種過程對最終織構(gòu)發(fā)生影響。
為理解退火織構(gòu)所作的努力,主要是研究成長為再結(jié)晶晶粒的那些
晶核的位向、位置和本質(zhì),以及控制晶核向基體材料中成長的因素。基
體材料是冷加工或回復(fù)后的,有時是已經(jīng)再結(jié)晶的晶粒。在各種實驗中
不同程度涉及到的因素是如此之多,并且彼此之間還有相互作用,所以
出現(xiàn)下述情況是不足為奇的;在這一領(lǐng)域的研究歷程中,曾提出一些互
不相容的見解;所提出的理論經(jīng)常是建立在未經(jīng)證實或有爭論的假設(shè)之
上的,或者是看來僅僅在嚴(yán)格限制的條件下適用的再結(jié)晶線材和壓縮試
樣許多有關(guān)退火引起絲織梅轉(zhuǎn)變的實驗,沒有分辨再結(jié)晶織構(gòu)與退火后
由晶粒長大所造成的織構(gòu)。某些微量雜質(zhì)對再結(jié)晶溫度有強烈的影響,
所以金屬在某一溫度進行再結(jié)晶的機理,可能與試樣的純度有關(guān)。
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