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本文標題："硅基上印制圖樣光刻設備的精度分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-23 21:31:23 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
硅基上印制圖樣光刻設備的精度分析顯微鏡
現(xiàn)代CM0S制程使用的幾何尺寸明顯小于用于在硅基上印制圖
樣的光刻設備的精度。亞波長光刻會打破缺陷電路引發(fā)的平衡。
引發(fā)電路失效的缺陷主要有兩類。一類是由于可見的物理缺陷
，它會改變硅基上電路的結構并引起諸如互連開路、過孔缺失、
晶體管短路等類型的違規(guī)。這些類別的缺陷是任意隨機的，在早期
的cM0s中是很普遍的類型。艏祝性缺陷這一術語通常指代這種類型
的缺陷，但有點用詞不當，因為隨機效應也能影響另一個主要類型
的缺陷，也就是參數性缺陷。參數性失效是由于晶體管特性、互連
線和過孔中的電氣變化所引起的。與物理缺陷不同，這一變化是不
可見的，并且大多數都劃歸為系統(tǒng)性缺陷類別。在過孔、光刻聚焦
或失調、銅凹陷以及金屬寬度／厚度變化中，這類例子尤為明顯。
雖然許多參數性缺陷都是系統(tǒng)性的，但實際上更多的是隨機性
的。之前已經給出了一個例子，也就是隨機摻雜波動。其他的例子
包括線邊沿和線寬粗糙，柵介質、氧化層厚度以及固定參數的改變
。本質上，所有的這些都是由物理原因引起的，但電路上產生的效
應都是參數性變化。這些參數性變化結果會提高電路失效的風險。
不同的物理機制下的變化效應。需要注意的是絕大部分的變化效應
會對延遲造成影響。雖然其中一些并不會導致電路失效，然而更多
的都會導致，這意味著固態(tài)延遲測試方案勢在必行。
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