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本文標(biāo)題："液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2016-12-4 2:39:14 本站主頁(yè)地址：http://m.vndmy.cn
液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源
用高溫?zé)嵫趸椒ㄉL(zhǎng)二氧化硅薄膜時(shí)，由于使用了很高的溫度，
致使硅樣品特性發(fā)生變化，如硅一二氧化硅界面的雜質(zhì)再分布、載
流子壽命的改變等，這些都是與高溫過(guò)程有關(guān)系。這是高溫?zé)嵫趸?/div>
方法的不足之處。
各種雜質(zhì)的特殊解取決于雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)及其在半導(dǎo)體中的固溶度
。固溶度限定了表面摻雜的極限，或是某種雜質(zhì)對(duì)硅片摻雜的最高
濃度，而擴(kuò)散系數(shù)是指雜質(zhì)擴(kuò)散的速度。擴(kuò)散速度較快的雜質(zhì)可減
少擴(kuò)散時(shí)間，不過(guò)，集成電路制造過(guò)程要求多個(gè)擴(kuò)散工序，因此最
初的擴(kuò)散工序必須用較慢的擴(kuò)散雜質(zhì)，以免這些雜質(zhì)在以后操作中
產(chǎn)生再分布。
液體和氣體雜質(zhì)源幾乎已完全取代了固體源，因?yàn)楣虘B(tài)擴(kuò)散的雜質(zhì)
濃度主要是取決于固體的溫度，可控能力很差，雜質(zhì)源溫度的微小
變化就會(huì)導(dǎo)致蒸汽壓力的大幅度變化，從而使攜帶氣體的雜質(zhì)分量
產(chǎn)生難以控制的變化。先進(jìn)的擴(kuò)散方法是使用全氣體系統(tǒng)，這是控
制攜帶氣體中雜質(zhì)濃度最有效的方法(特別是在低濃度值時(shí))。
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