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本文標(biāo)題："氬附在金屬上因?yàn)榫Ц顸c(diǎn)間的最短距離,金相研究顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2015-11-29 1:58:29 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
氬附在金屬上因?yàn)榫Ц顸c(diǎn)間的最短距離,金相研究顯微鏡
表面的不均勻
在室溫和少量吸附時(shí)，氧在木炭上的吸附熱是60千克分子，而
且這樣吸取的氧，只能在更高些的溫度時(shí)，作為一氧化碳和二氧
化碳抽出。
應(yīng)用冰量熱計(jì)，在低吸附量時(shí)，得到的吸附熱為72千克分子；
但當(dāng)更多的氧吸附時(shí)，此數(shù)值迅速降低，最后到達(dá)4千克分子的
數(shù)值是典型的，與此相仿佛，應(yīng)用直接時(shí)熱法測得，氧在鐵催化
劑上，在-183℃的開始吸附熱不120千克分子；當(dāng)吸附增加時(shí)，
吸附熱逐漸降低至90千克分子，然吸附量為0.9立方厘米時(shí)，突
然降低至4千克分子，這些數(shù)據(jù)特別明顯地表明化學(xué)吸附和物理
吸附之間的熱量區(qū)別，對于罩蓋度增加時(shí)的吸附熱降低， 曾有
兩種不同的但不互相排斥的解釋。
因于表面的不均勻性，假定吸附優(yōu)先在發(fā)生于晶體的邊緣和角
落等“活化點(diǎn)”上，所以開始時(shí)的熱量最大，隨著吸附發(fā)展到愈
來愈不活化的地區(qū)時(shí)，熱量也降低，同時(shí)并假定吸附膜具有流動(dòng)
性，所以即使先吸取的吸附分子是隨機(jī)分布著，它們會(huì)發(fā)生移動(dòng)
，從而優(yōu)先地占據(jù)最活化點(diǎn)，第二種解釋。
認(rèn)為熱的降低應(yīng)歸因于被吸附分子間的相互排斥，一部分是由
于偶極間的靜電排斥，另一部分由于斥力，相同取向的偶極間的
靜電排斥能在距離達(dá)100A時(shí)，這力仍是明顯的。
在一些典型的例子中，排斥力不足以說明實(shí)驗(yàn)所得到的吸附熱
的降低，例如，氬吸附在金屬上，因?yàn)榫Ц顸c(diǎn)間的最短距離，例
如鎳為2.48A，比吸附的氬原子的直徑顯著地大些，而偶極一偶
極相互作用的總和在鎳上吸附介于罩蓋為零至完全罩蓋，只足以
考慮到吸附熱降低為2.5千克分子，而在鎢上的2千克分子，與實(shí)
驗(yàn)數(shù)字相比，卻分別為42和20千克分子，同樣地相似情況，絕吸
附于鎢上的偶極相互作用，只能大約相當(dāng)于實(shí)驗(yàn)測得的降低24千
克分子的一半。
由此看來，吸附熱隨表面罩蓋率而發(fā)生，一般地、至少部分地
，是由于表面的不均勻性所致。
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