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外延生長
當晶體基底內(nèi)的原子排列穩(wěn)定存在于鍍層中時,這種
生長就定義為個延生長,隨著鍍層厚度增加,基底影響
減小,減小的速度受基體類型和狀態(tài)及一定電鍍條件的
影響,當基底具有大的晶粒時,如果表面是經(jīng)過機械拋
光和延伸,基底影響迅速消失,電流密度的增加,極化
的增加,在溶液中加入表面活性有機化合物,這些都是
減少外延生長程度的因素,在早期階段沉積多晶材料就
會出現(xiàn)晶格畸變。
構(gòu)表示鍍層中不含硫或至少是含有非常少量的硫,而
層狀結(jié)構(gòu)表示硫的存在,金相學是研究鎳加鉻組合鍍層
腐蝕機理的有效方法:形成針孔類型在第十章插圖中說
明,浸蝕揭示了柱狀和層狀鍍層間的邊界,因此,除了
能檢查腐蝕的方式外,還提供了確定雙層鍍層中的兩個
鎳層的厚度方法。
即使是大晶粒的電沉積物與大部分大塊金屬相比,也
具有相當小的晶粒尺寸,為了比較,經(jīng)淬火的可鍛鎳的
結(jié)構(gòu),當試樣用
顯微鏡檢查時,觀察到可鍛材料中的位
錯,在電鍍鎳中,當薄膜用顯微鏡檢查時,末檢測到位
錯的活動,這種情況使人認為位錯是受雜質(zhì)原子牽制。
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