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(點(diǎn)擊查看產(chǎn)品報(bào)價(jià))
在故障分析的初始階段,偶爾會(huì)遇到在元件的不同引腳之間存在不大的漏電流。
這些漏電流可能歸因于器件表面卜的污染。工藝的變化加速向尺寸越來(lái)越小、密度和
復(fù)雜性越來(lái)越高推進(jìn)。這便引起實(shí)際封裝縮小,從而為絕緣材料和封裝的外部清潔度
提出了更高的要求。由于封裝幾何尺寸的減小,故許多現(xiàn)代電子元件對(duì)離子污染十分
敏感。離子污染可能來(lái)自元件制造過(guò)程(即受污染的處理溶液或受污染的最后清洗)
或來(lái)自使用環(huán)境(例如,鹽、霧、操作處理或溫度測(cè)試)。低漏電流的潛在問(wèn)題在于,直
到裝置投人使用之后很長(zhǎng)時(shí)間,它們才會(huì)表現(xiàn)出來(lái),因?yàn)樾孤┞窂降男纬煽赡苄枰?/div>
濕、偏壓和溫度等條件。確定外部封裝漏電通常不是一個(gè)直截了當(dāng)?shù)倪^(guò)程,但往往可
以通過(guò)間接證據(jù)來(lái)實(shí)現(xiàn).一些直接方法,如化學(xué)分析電子能譜法(ESCA )、能量彌散
X射線(EDX)和俄歇電子能譜法(AES)可以通過(guò)將已知合格器件與有問(wèn)題的器件進(jìn)
行比較加以利用。這可能十分費(fèi)時(shí)且昂貴。
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