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本文標題："實驗專業(yè)偏光顯微鏡觀察晶體的生長速度"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-11-20 22:31:24 本站主頁地址：http://m.vndmy.cn
實驗專業(yè)偏光顯微鏡觀察晶體的生長速度
最先達到最高過冷度的部位(如與型壁接觸部位)是初生奧氏體最早
形核部位，然后快速長人過冷的鐵液中。對于遠離型壁處奧氏體的形成，可以用成分過冷
來解釋，也可以用液體流動的作用來說明。在奧氏體形成和長大過程中排除碳、錳、硫和
磷等溶質，使奧氏體一液體界面前沿液相出碳和錳等溶質元素的富集層和硅等元素的貧
乏，形成了硅的負偏析、錳的正偏析。溶質富集層液相的結晶開始溫度降低使界面前沿液
相產生成分過冷;當成分過冷區(qū)的過冷度大于奧氏體形核所需的過冷度時會有新的奧氏體
晶核形成，即構成內生等軸樹枝晶生長。在型壁處已形核的奧氏體晶體生長時，其界面前
沿液體中形成溶質偏析層，導致晶體生長速度減慢;在靠近型壁的晶體根部溶質原子擴散
困難，而晶體前端溶質原子擴散容易，這樣晶體根部的生長速度比其前端慢得多，結果會
在晶體根部形成“縮頸”;當界面附近液體中存在對流或溫度波動時使晶體自型壁上脫
落，脫落的晶體隨對流漂移到前方液體中，由于溫度起伏使隨對流漂移的
晶體可能部分熔化或生長，產生“晶體增殖”，成為新的奧氏體晶核
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