---
---
---
(點擊查看產(chǎn)品報價)
溫高低對低劑差排環(huán)的效應(yīng)較小,溫區(qū)間間隔需較大才可看出有明顯變化。
由于單晶碳化矽含加工制造缺陷,無法提供空孔有之成核點,因此在所有條件下皆未發(fā)現(xiàn)空孔
的存在。差排環(huán)的型態(tài),目前推是由格隙原子團聚,而造成之Frank 型多一排
原子之差排環(huán)。高分辨之電子顯微影像顯示某些區(qū)域極有可能符合以上推,但
在未超出影像范圍區(qū)域無法顯示完整差排環(huán)的端,因此此部分仍須努。未
研究將進高溫以及高劑之照射實驗,以解差排環(huán)是否會在6H 碳化矽
結(jié)構(gòu)下演化為差排網(wǎng)或其他缺陷型態(tài),并深入探討其機制
所有資料用于交流學習之用,如有版權(quán)問題請聯(lián)系,禁止復(fù)制,轉(zhuǎn)載注明地址
上海光學儀器一廠-專業(yè)顯微鏡制造商 提供最合理的
顯微鏡價格