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錫有面心立方的晶構,有非等方向性的屬性。
例如:它的導電性是非等方向性的。在錫變成Cu-Sn或Ni-Sn 介金屬化合物時,介金屬化合物也有非等向性的晶構。
因為那表示在TSV晶片上大量的微凸塊,每一個微凸塊的屬性都有可能不同。從可靠度的角度來說,
在失效統(tǒng)計上,這可說是很大的因素。因此有些微凸塊會發(fā)生早期故障(early failure)。
所以控制每片TSV晶片上的微凸塊的微電子結構或結晶是很重要的,為了在其中得到一致的微電子結構。然而,在TSV晶片上有成百或上千個微凸塊,這將會是一個挑戰(zhàn)。
為了使微凸塊內部介金屬化合物有方向性成長以及轉變成均勻的微結構,
焦點集中在微凸塊里的介金屬化合物和如何控制它們的形成。
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